快科技6月20日音讯，据媒体报说念，英特尔一位董事提倡，翌日晶体管蓄意（如GAAFET和CFET）可能缩小芯片制造对先进光刻建筑（尤其是EUV光刻机）的依赖。这一不雅点挑战了刻下先进芯片制造的中枢范式。

当今，ASML的极紫外（EUV）光刻机是制造高端芯片（如7nm及以下节点）的重要建筑，它认真将极其微弱的电路蓄意“打印”到硅晶圆上。

相干词，该董事以为，像环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）这么的新式蓄意，将权贵增多光刻之后制造要津（额外是刻蚀技艺）的要紧性，从而缩小光刻在举座工艺中的主导地位。

芯片制造经过始于光刻——将蓄意图案滚动到晶圆名义。随后通过千里积添加材料，并通过刻蚀遴荐性地去除材料，最终造成晶体管和电路结构。

新式晶体管蓄意的中枢在于“包裹”栅极结构（GAAFET）或堆叠晶体管组（CFET）。这种三维结构的复杂性对精准刻蚀提倡了更高条件。为了从各个标的“包裹”栅极或创建堆叠结构，芯片制造商需要更精采地、额外是横向地去除晶圆上的过剩材料。

因此，该董事指出，翌日的重心可能从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸，转向更复杂、更重要的刻蚀工艺，以确保这些新式三维晶体管结构的精准成型。这预示着芯片制造技艺道路可能迎来重要退换。

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